A TSMC taichungi P1 üzemének építése már 2027 áprilisában befejeződik, hogy azt követően megkezdődhessen a berendezések betelepítése, majd az 1,4 nanométeres (A14) gyártástechnológia kísérleti próbatermelése.

// hardver · 2026.09.03 Meredeken csökken az Intel 14A hibasűrűsége, előrébb hozhatják a rajtot Kifejezetten biztató hírek érkeztek a tengerentúli félvezetőgyártó legfejlettebb üzeméből: az Intel 14A gyártástechnológia hibasűrűségének csökkenése mintegy három-négy negyedévvel előrébb jár az eredetileg kitűzött ütemtervnél, ami… olvasás →

A Közép-Tajvani Tudományos Park Közigazgatási Hivatala (CTSP) hivatalos közlése szerint a tervezettnél gyorsabban halad a TSMC legújabb taichungi bázisának kivitelezése. A park elnökhelyettese, Wang Junjie által ismertetett ütemtervről a tajvani Commercial Times számolt be.

Négy gyáregység épül Taichungban mintegy 1,5 billió tajvani dollárból

A taichungi bővítés második fázisában (CTSP Phase 2) – amely a vállalat terveiben Fab 25 jelzéssel szerepel – összesen négy önálló gyáregység (P1, P2, P3 és P4) épül fel. A beruházás teljes költségvetését az Economic Daily News a földmunkák 2025. novemberi kezdetekor mintegy 1,5 billió új tajvani dollárra (körülbelül 49 milliárd amerikai dollárra) becsülte.

A kivitelezés a négy üzemnél hozzávetőleg féléves eltolással zajlik. A P1 jelű csarnok a friss hatósági beszámoló szerint már a födémszintek betonozásánál tart, és 2027 áprilisában készül el. A szomszédos P2 egységnél jelenleg az alapozási és alapépítményi munkálatok folynak, ennek az üzemnek az átadása 2027 októberében várható. A további ütemek közül a P3 már megkapta az építési engedélyt, míg a P4 engedélyeztetése jelenleg zajlik. A teljes, négy üzemből álló komplexum felépítése 2028-ra fejeződik be.

Miért váltott 2 nanométerről 1,4 nanométerre a taichungi telephely?

A taichungi második fázis területét eredetileg a 2 nanométeres lapkák kapacitásbővítésére jelölte ki a félvezetőgyártó. Az iparági beszámolók és az ellátási láncból származó értesülések szerint a stratégiaváltás hátterében az áll, hogy az amerikai partnerek a geopolitikai kockázatok megosztása miatt sürgették a 2 nanométeres gyártósorok korábbi felállítását más telephelyeken, miközben a dél-tajvani Tainan Shalun zóna fejlesztése a vártnál lassabban haladt.

A vezetés ezért a taichungi telkeken közvetlenül az 1,4 nanométeres eljárás (A14) befogadására készíti elő az infrastruktúrát. A hatóság adatai szerint az üzemek teljes kapacitásának elérésekor az éves árbevétel meghaladhatja az 500 milliárd tajvani dollárt, és mintegy 4500 új munkahely jön létre a térségben. A taichungi gyárak tényleges pénzügyi volumenét azonban csak azt követően lehet pontosabban megbecsülni, hogy a Hsinchu Tudományos Park Baoshan telephelyén működő első 1,4 nanométeres üzem megkezdi a termelést.

Hátoldali tápellátás és hagyományos EUV litográfia

A technológiai ütemterv szerint az 1,4 nanométeres (A14) eljárás a 2 nanométeres (N2) család és a 2026-ra esedékes A16 közvetlen örököse. Az N2 hozza el a nanolapos kaput körülölelő tranzisztorokat (GAAFET / Nanosheet), az A16 pedig a hátoldali tápellátó hálózatot (BSPDN / Super Power Rail).

Az 1,4 nanométeres csíkszélesség a NanoFlex Pro cellakialakítással biztosít rugalmasságot a tervezőknek, lehetővé téve a nagy sebességű és az energiatakarékos cellák vegyes integrálását egyazon monolitikus lapkán. A legfinomabb rétegek levilágításához a TSMC költséghatékonysági megfontolásokból továbbra is a meglévő, 0,33-as numerikus apertúrájú (Low-NA) EUV berendezéseket és a multi-patterning eljárást alkalmazza; a High-NA EUV gépek bevezetése csak a későbbi gyártási csomópontoknál várható.