Az YMTC, a kínai NAND-gyártó a Counterpoint Research értesülései szerint 9600 MT/s-os LPDDR5X-memória tömeggyártására készül a Fab 3 üzemében. Erről a Club386 és a TechPowerUp számolt be. Megerősítést az YMTC nem közölt.
Mit állít a Counterpoint?
A kutatócég szerint az YMTC 2025 októbere óta mintegy 5000 ostyát gyárt havonta a Fab 2-ben 16 Gb-os, 7500 MT/s-os LPDDR5X DRAM-ból, vagyis a kis volumenű gyártás már megy. A Fab 3-ban a tervezett 9600 MT/s-os lapkák VCT (vertical channel transistor) alapú 4F²-es cellaszerkezetet használnának.
A 4F² a szokásos 6F² elrendezésnél kisebb: a tranzisztort függőlegesen állítja fel, így a Club386 szerint papíron nagyjából harmadával csökken egy memóriacella mérete ugyanazon a gyártástechnológiai csomóponton, fejlett EUV-litográfia nélkül.
Xtacking és hibrid kötés
A Counterpoint szerint az YMTC az Xtacking 4.0 eljárását használná: a memóriacellákat az egyik ostyán, a perifériás CMOS-logikát egy másikon gyártják, majd hibrid kötéssel egyesítik. A Club386 szerint így a logika a sebességre optimalizálható, és elszigetelhető a memóriatömb gyártása közbeni hőtől.
Mit mond a Micron?
A TechPowerUp szerint a Micron nemrég megerősítette, hogy nem hoz piacra 4F²-es DRAM-ot, és a 3D DRAM megérkezéséig a mai 6F²-es elrendezésnél marad. Az YMTC és a CXMT viszont a 4F² korai bevezetését erőlteti, ami a lap szerint némi előnyt adhat a kínai gyártóknak a cellatervezésben, bár a DUV-litográfiai eszközök korlátozzák őket. Ha pedig a 3D DRAM tömeggyártásra érik, az YMTC a TechPowerUp szerint az egyik legjobb helyzetben lévő cég lehet.
Kapcsolódó: a CXMT G5 DRAM-ról, az 1000 rétegű SSD-kről, valamint a Micron humanoid robotokról szóló becsléséről.
