A Samsung elképesztő bejelentést tett a legújabb VLSI Symposium 2026 eseményen: a dél-koreai techóriás egy ambiciózus útitervet vázolt fel, amelynek célja, hogy 2030-ra elérjék az 1000 rétegű V-NAND flash memóriákat. Ez a technológiai ugrás brutális tárhelykapacitás-növekedést eredményezhet a végfelhasználói SSD-k piacán, ami egy hagyományos 8 TB-os QLC meghajtóból pillanatok alatt 32 TB-os szörnyeteget varázsolhat, derült ki a WCCFTech beszámolójából.
Hogyan érhető el az 1000 rétegű SSD?
A jelenlegi piacon a gyártók még csak a 400 rétegű megoldásoknál járnak – az SK Hynix például nemrég mutatta be 321 rétegű technológiáját –, de a Samsung már most sokkal messzebbre tekint. A cég tervei szerint 2029-re elérik a 420 rétegű NAND megoldásokat, 2030-ra az 560 réteget, a következő évtized elejére pedig ezt szeretnék megduplázni, elérve az 1000 rétegű határt. A kulcs egy új eljárás, a Cell-Multi Bonding (CMB) lesz.
A technológia lényege, hogy két 450 (vagy több) rétegű chipet illesztenek össze (bondolnak) vertikálisan. Persze ez rengeteg fizikai kihívással jár, elsősorban a szilíciumostyák meghajlásával (warpage). A Samsung azonban bejelentette, hogy az „Upper Chuck Design” és a fejlett „Overlay Correction” technológiák segítségével sikeresen orvosolták a gyártási anomáliákat és a precíziós hibákat, így az egymásra illesztés a gyakorlatban is működőképes.
Brutális tárhely mindenkinek
Az AI forradalom és az adatközpontok iránti elképesztő kereslet miatt az iparágnak égető szüksége van a minél nagyobb sűrűségű adattárolókra, amit a kínai YMTC (Yangtze Memory Technologies) is felismert, és gőzerővel fejleszti a saját megoldásait. A Samsung 1000 rétegű V-NAND memóriái viszont nemcsak a szerverekbe hozhatnak enyhülést, hanem az otthoni PC-kbe is: ha az útiterv megvalósul, az évtizedfordulóra a több tíz terabájtos SSD-k is a megfizethetőbb, mindennapi standarddá válhatnak.
