Sikeresen lezárta a 12 rétegű HBM4E memóriamodulok minősítési eljárását az Nvidia és több nagy adatközponti felhőszolgáltató tesztlaborjaiban a Samsung Electronics memóriagyártó részlege. A validációs eredményt a szöuli gazdasági sajtóban megjelent részletes tényfeltáró beszámoló hozta nyilvánosságra. A dél-koreai félvezetőgyártó még május végén szállította le az első 12 réteges (12-Hi) mérnöki tesztpéldányokat a kiemelt partnereknek, a szeptember végi eredmények pedig igazolják a tokozás és az integráció működőképességét.
Szigorú hardveres szűrőn jutottak át a tesztmodulok
A minősítési eljárás során a felvevőpiac mérnökei azt ellenőrzik, hogy az adott memóriatermék maradéktalanul teljesíti-e a megkövetelt adatátviteli sebességet, jelintegritást, tartós üzemi megbízhatóságot és a hőtani toleranciákat. A sikeres minősítés elengedhetetlen a későbbi kereskedelmi szállításhoz. A beszámoló rávilágít, hogy a mostani eredmény szigorúan a technikai minősítés lezárására vonatkozik: a felek egyelőre nem rögzítették a konkrét szállítási mennyiségeket, a szerződéses keretösszegeket vagy a tömeggyártási ütemterv végleges dátumait. Hivatalos megkeresésre a Samsung képviselői úgy nyilatkoztak, hogy a minősítés eredményét nem áll módjukban megerősíteni.
A dél-koreai vállalat számára kiemelt jelentőséggel bírt a tesztek zökkenőmentes vétele. Az előző generációs HBM3E memóriáknál a cég hosszú hónapokon át küzdött a szigorú stabilitási és melegedési előírások teljesítésével az Nvidia platformjain, ami miatt a lapkák áramköri újratervezésére kényszerült. A most lezárt ellenőrzés bizonyítja, hogy a mérnökök sikerrel orvosolták a korábbi szerkezeti nehézségeket a következő generációs architektúráknál.
Akár 4 TB/s sávszélesség egyetlen memóriatoronyból
A hetedik generációs High Bandwidth Memory megoldásnak számító HBM4E komoly előrelépést hoz a korábbi struktúrákhoz képest. A 12 rétegű felépítés veremenként 48 GB kapacitást biztosít. Stabil 14 Gbps érintkezőnkénti adatátviteli sebességnél a memóriacsomag 3,6 TB/s sávszélességet garantál, amely a specifikáció felső határát jelentő 16 Gbps sebességnél megközelíti a kereken 4,0 TB/s (4000 GB/s) sávszélességet tornyonként.
A gyári adatok szerint a HBM4E több mint 20 százalékos sebességnövekedést nyújt a megelőző HBM4 generációhoz viszonyítva. A modulok a hatodik generációs, 10 nanométeres (1c nm) DRAM lapkákat ötvözik a Samsung Foundry saját 4 nanométeres logikai alaplapkájával. Az alacsony fogyasztásra tervezett áramköri kialakítás és az optimalizált tokozási szerkezet révén a memóriatorony 16 százalékos energiahatékonysági javulást mutat fel azonos terhelés mellett.
Nyílt verseny a következő generációs AI-gyorsítóknál
A félvezetőiparban éles verseny zajlik a hyperscaler adatközpontok és az AI-gyorsítók megrendeléseiért. A Samsung még februárban indította el a HBM4 modulok tömeggyártását az Nvidia Vera Rubin platformjához, a kibővített HBM4E mintáit pedig három héttel a rivális SK hynix előtt juttatta el a partnerekhez. Bár az SK hynix jelenleg is meghatározó pozíciót ural a mesterséges intelligenciát kiszolgáló szuperszámítógépes rendszerek piacán, a mostani sikeres validációval a Samsung közvetlen technológiai esélyt teremtett a következő hardveres beszerzési ciklusban.
A nagyteljesítményű számítási fürtökben a többmagos architektúrák, köztük az Intel Xeon 6+ Clearwater Forest szerverprocesszorai mellett éppen a HBM modulok sávszélessége határozza meg a számítási magok valós kihasználtságát. A nagymennyiségű szállítások megkezdése a megrendelők következő generációs gyorsítókártyáinak és szerveralapjainak bevezetési menetrendjétől függ.
