Jelentős technológiai mérföldkőhöz érkezett a kínai félvezetőipar: az ország vezető DRAM-gyártója, a ChangXin Memory Technologies (CXMT) megkezdte a nagy sávszélességű HBM3E memóriák kockázati gyártását. A The Information iparági értesülései és a TechPowerUp beszámolója alapján a lépés kulcsfontosságú Kína számára a globális memóriagyártó óriásoktól (Micron, Samsung, SK Hynix) való függetlenedés útján.
Hatalmas sávszélesség a hazai AI-gyorsítóknak
Bár a nemzetközi élvonal már a HBM4 és a vertikális zHBM rétegzési megoldásokon dolgozik, a HBM3E gyártósori megvalósítása komoly bravúrnak számít az amerikai exportszankciók szorításában. A JEDEC hivatalos JESD238 (HBM3) szabványa szerint a HBM3E architektúra 1024 bites memóriabuszt használ, érintkezőnként akár 9,6 GT/s átviteli sebességgel, ami oszloponként elérheti az 1,228 TB/s elméleti sávszélességet.
A CXMT megoldása nyolc- és tizenkét rétegű DRAM maglapkák függőleges egymásra pakolásával készül Through-Silicon Via (TSV) átvezetések segítségével. Ez a kialakítás 24 GB, illetve 36 GB kapacitást tesz lehetővé modulonként, ami elengedhetetlen a nagy nyelvi modellek (LLM) betöltéséhez és gyors futtatásához.
Már teszteli az Alibaba és a Cambricon
Az iparági források szerint több vezető kínai processzortervező vállalat már megkapta az első próbachipeket tesztelésre. Köztük van az Alibaba Csoporthoz tartozó T-Head félvezető divízió, valamint az autonóm mesterséges intelligenciára szakosodott Cambricon Technologies is. Amennyiben a validációs folyamat sikeresen zárul, a hazai fejlesztésű AI-gyorsítók már jövőre megkaphatják a kínai HBM3E memóriákat.
A CXMT célja, hogy 2027-re elérje a teljes értékű, nagy volumenű tömeggyártást. A vállalat agresszív kapacitásbővítése nemcsak a keleti AI-infrastruktúra önellátását alapozza meg, de hosszú távon érdemben átrendezheti a globális szerver- és memóriapiaci erőviszonyokat is.
