A Hszitien Egyetem, a Hongkongi Városi Egyetem és a Fudan Egyetem kutatói közös projektjükben megoldották az alumínium-szkandium-nitrid (AlScN) alapú ferroelektromos memóriák stabilitási problémáját. A kutatás részleteit eredetileg a Science folyóiratban publikálták (amelyről a South China Morning Post számolt be): a csapat korlátozta a nitrogén-vakanciák mozgását a wurtzit kristályszerkezetben, amivel a chipek írási ciklusainak számát 10 milliárdra emelték.
Az AlScN anyagcsalád a gyors kapcsolási sebessége és az alacsony energiafogyasztása miatt a jövőbeli nagy teljesítményű memóriák egyik fő jelöltje. Kompatibilis a meglévő félvezetőgyártási eljárásokkal, így elméletben könnyen integrálható a jelenlegi szilíciumalapú rendszerekbe. A kereskedelmi bevezetést eddig a gyors fizikai degradáció akadályozta: az ismétlődő elektromos kapcsolások hatására a korábbi AlScN chipek nagyjából 100 millió írási ciklus után tönkrementek. Ez az érték töredéke az ipari standardként elvárt több milliárdos határnak.
A nitrogén-vakanciák vándorlásának gátlásával a hibaarány lecsökkent, a 10 milliárdos érték pedig a gyakorlatban százszoros javulást jelent a korábbi generációs lapkákhoz képest. A módosított architektúra a kísérleti fázisban van, a gyártástechnológiai felskálázás pontos paramétereit és a tömeggyártási hozamot a következő mérnöki fázisban kell optimalizálni.
