Sikeres teszteken a 3D NAND alapokra épülő memória
A NEO Semiconductor bejelentette, hogy 3D X-DRAM technológiája sikeresen teljesítette a proof-of-concept (POC) validációs fázist. A fejlesztés jelentősége, hogy a nagy sűrűségű DRAM-modulok gyártásához a már meglévő 3D NAND infrastruktúrát használják fel. A bejelentéssel egy időben a vállalat stratégiai befektetést is kapott, amelyet Stan Shih, az Acer alapítója és korábbi elnök-vezérigazgatója, a TSMC igazgatótanácsának több mint 20 éves tapasztalattal rendelkező tagja vezet.
A 3D X-DRAM a vertikálisan rétegzett architektúra alkalmazásával kívánja áttörni a hagyományos memóriaskálázási korlátokat. A megoldást kifejezetten az AI-alapú munkafolyamatokhoz optimalizálták, nagyobb adatsűrűséget, alacsonyabb energiafogyasztást és jobb skálázhatóságot ígérve.
Kiemelkedő mérési eredmények
A POC-chipeket Tajvanon, a National Institutes of Applied Research – Taiwan Semiconductor Research Institute (NIAR-TSRI) létesítményeiben gyártották és tesztelték a National Yang Ming Chiao Tung University közreműködésével. A tesztek során az alábbi értékeket mérték:
- Írási/olvasási késleltetés: 10 nanosekundum alatt.
- Adatmegőrzés: több mint 1 másodperc 85°C-on (ez 15-szörös javulás a JEDEC szabványhoz képest).
- Bit-line zavarvédelem: több mint 1 másodperc 85°C-on.
- Word-line zavarvédelem: több mint 1 másodperc 85°C-on.
- Stabilitás: több mint 10¹⁴ ciklus.
„Ezek az eredmények validálják a DRAM új skálázási útját” – nyilatkozta Andy Hsu, a NEO Semiconductor alapítója és vezérigazgatója. „Hisszük, hogy ez a technológia jelentősen nagyobb sűrűséget, alacsonyabb költségeket és jobb energiahatékonyságot tesz lehetővé az AI-korszak számára.”
HBM-alternatíva a láthatáron
Bár az iparág jelenleg a High Bandwidth Memory (HBM) megoldásokra támaszkodik, ezek gyártása rendkívül komplex és drága a chipek utólagos rétegzése és az átvezető technológiák (TSV) miatt. Ezzel szemben a 3D X-DRAM monolitikus struktúrát alkalmaz: a rétegeket magában a memóriatömbben alakítják ki, hasonlóan a 3D NAND flash memóriákhoz.
Jeongdong Choe, a TechInsights elemzője mérföldkőnek nevezte az eredményeket, mivel a hagyományos DRAM skálázhatósága fizikai határaihoz közeledik. A NEO Semiconductor már tárgyalásokat folytat vezető félvezetőipari szereplőkkel a licencelési és partnerségi lehetőségekről.
A gyártók közötti verseny éleződik: alig egy nappal a bejelentés előtt derült ki, hogy a SoftBank és az Intel által támogatott SAIMEMORY is hasonló célokat követ a saját ZAM architektúrájával.
Forrás: tomshardware
